Qualcomm Snapdragon 8 Elite 2

Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 5 — Vorläufige Übersicht
Status: Der Chip wurde noch nicht offiziell angekündigt. Die folgende Zusammenfassung spiegelt den Stand Anfang September 2025 wider, basierend auf konsistenten Leaks und Prognosen, die sich zum Launch ändern können.
Positionierung und Namensgebung
Aktuelle Berichte bezeichnen den Nachfolger des heutigen Snapdragon 8 Elite zunehmend als Snapdragon 8 Elite Gen 5. Damit wird die „Elite“-Linie numerisch mit einem möglichen Snapdragon 8 Gen 5 abgeglichen, wobei die Trennung zwischen der absoluten Spitzenklasse und der regulären „8er“-Klasse innerhalb derselben Generation erhalten bleibt. Das Alias „8 Elite 2“ taucht noch gelegentlich auf, doch Elite Gen 5 gilt als wahrscheinlicher.
Ankündigungszeitraum und erste Geräte
Als erwartete Bühne für die Vorstellung gilt weiterhin der Snapdragon Summit. Dort soll Qualcomm den Elite Gen 5 präsentieren; erste Geräte werden voraussichtlich von führenden chinesischen Marken kommen (die Serie Xiaomi 16 wird häufig genannt). Hersteller-Roadmaps deuten auf eine Präsentation Ende September und Marktstart im Oktober für die erste Welle hin.
Fertigungsprozess
Die Basisvariante wird auf TSMC 3 nm (N3P) erwartet—eine Evolution von N3E, die bei ähnlichen Leistungsgrenzen moderate Effizienz- und/oder Frequenzgewinne ermöglichen sollte. Gerüchte um eine Samsung-2-nm-Alternative für ausgewählte OEMs sind gemischt: teils ist von frühen Tests bzw. einem limitierten „Spezial-Bin“ die Rede, teils von möglichen Absagen. Der derzeitige Konsens: N3P für den Massenmarkt, eventuelle 2-nm-Ableger wären Nischenlösungen und von der Fertigungsreife abhängig.
CPU-Architektur
Qualcomm dürfte auf maßgeschneiderte Oryon-Kerne setzen und ein für Android-Flaggschiffe untypisches Layout verwenden, das weitgehend auf klassische „kleine“ Kerne verzichtet. Häufig genannt wird ein 2+6-Schema:
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zwei „Super-Kerne“ mit Turbo bis ~4,61 GHz im Standard-Bin;
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sechs große Kerne um ~3,63 GHz.
Ein hochfrequenter „for Galaxy“-Bin (Samsung) soll Spitzen bis ~4,74 GHz erreichen. Dabei handelt es sich um Binning und OEM-spezifische Frequenzprofile, nicht um architektonische Unterschiede.
Ziel ist offenbar eine starke, dauerhaft hohe Single-Thread-Leistung sowie stabiles Multi-Thread-Verhalten mit weniger Frequenzabfällen—nützlich für lange, anspruchsvolle Workloads (Gaming, Video-Encoding, CPU-seitige KI).
Grafik
Auf der Grafikseite wird der Umstieg auf Adreno 840 mit einer Basistaktung nahe ~1,2 GHz erwartet. Gegenüber der Vorgängergeneration deuten Leaks auf moderat höhere „Datenblatt“-Frequenzen und spürbare Effizienzgewinne in langen Spielsitzungen hin—was höhere durchschnittliche Bildraten bei ähnlichen thermischen Budgets und mehr Spielraum für Upscaling/Effekte ermöglichen dürfte.
NPU und On-Device-KI
On-Device-KI bleibt ein Schwerpunkt. Für die dedizierte NPU kursieren Werte von bis ~100 TOPS (INT-Klasse). Auch wenn „Peak“-Metriken methodisch variieren, ist die Richtung klar: lokale KI für Medien-Generierung/Transformation sowie Transformer-/Konvolutions-Workloads mit niedriger Latenz, ohne Cloud-Rundtrip.
Speicher, Massenspeicher, Konnektivität
Erwartet werden LPDDR5X (hohe Datenraten im Dual-Channel) und UFS 4.0—keine Revolution, bevor die nächste Controller-Welle ausgereift ist. Der Modem-Block dürfte 5G der Snapdragon-X80-Klasse bieten, mit erweiterter Trägerbündelung und zunehmender Integration von NTN/Satelliten-Funktionen. Auf der Funkseite ist Wi-Fi 7 mit Multi-Link und weiteren, im High-End etablierten Features zu erwarten.
Leistung: erste Signale
In Benchmarks gesichtete Engineering-Samples deuten auf spürbare Zugewinne:
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Geekbench 6 (mutmaßlich): Single-Core über 4.000, Multi-Core 11.000+;
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AnTuTu v11: Gesamtpunktzahlen > 4 Millionen.
Synthetiktests sind Indikatoren, keine Nutzererfahrung. Aussagen zum Energiebedarf divergieren—von „ähnliche Leistungslimits bei höherer Performance“ bis „besseres Performance-pro-Watt im Gaming“. Finale Frequenz-/Leistungsprofile werden zum Launch festgelegt.
Leistungsaufnahme und Thermik
Die Evolution N3E → N3P dürfte Qualcomm etwas Frequenzspielraum ohne höhere Leistungsgrenzen geben. Praktisch könnte das bedeuten:
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stabilere Taktraten in langen Gaming-Sessions;
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geringere Empfindlichkeit gegenüber dünnen Gehäusen und weniger Bedarf an aggressiver Drosselung;
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bessere Ausdauer unter Dauerlast dank höherer Effizienz pro Watt.
Erwartete Geräte und Marktausrichtung
Als frühe Adoptierer gelten Xiaomi, iQOO, OnePlus, Honor und Realme. Mehrere Erstlingsmodelle werden mit sehr großen Akkus (teilweise 7.000 mAh+) in Verbindung gebracht—passend zum Fokus auf langes Gaming, On-Device-KI und hochfrequente Displays.
Erwartete Schlüsselspezifikationen auf einen Blick
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Name: Snapdragon 8 Elite Gen 5 (Bezeichnung kann variieren).
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Prozess: TSMC 3 nm (N3P); umstrittene Gerüchte zu 2-nm-Samsung-Nischenvarianten.
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CPU: Oryon; 2 Super-Kerne bis ~4,61 GHz (+ bis ~4,74 GHz im „for Galaxy“-Bin), 6 große Kerne ~3,63 GHz.
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GPU: Adreno 840, Basistakt ~1,2 GHz.
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NPU: bis ~100 TOPS (indikativ).
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Speicher/Speicherlösung: LPDDR5X, UFS 4.0.
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Konnektivität: 5G-Modem der X80-Klasse, Wi-Fi 7.
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Benchmarks (früh): AnTuTu > 4 Mio.; starke Single-Thread-Spitzen und hohe Multi-Thread-Werte in Geekbench.
Basic
GPU-Spezifikationen
Konnektivität
Speicherspezifikationen
Verschiedenes
Benchmarks
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