Qualcomm Snapdragon 8 Elite 2

Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 5 — Panoramica preliminare

Status: Il chip non è stato ancora annunciato ufficialmente. Il riepilogo seguente riflette le aspettative a inizio settembre 2025, basate su fughe di notizie coerenti e previsioni che potrebbero cambiare al momento del lancio.

Posizionamento e denominazione

I rapporti recenti si riferiscono sempre più spesso al successore dell’attuale Snapdragon 8 Elite come Snapdragon 8 Elite Gen 5. Questa denominazione allinea numericamente la linea “Elite” a un possibile Snapdragon 8 Gen 5, mantenendo la distinzione tra la fascia assoluta al top e la serie “8” standard all’interno della stessa generazione. L’alias «8 Elite 2» compare ancora in alcune voci, ma Elite Gen 5 sembra più probabile.

Tempistiche di annuncio e primi dispositivi

Il Snapdragon Summit rimane la sede prevista per la presentazione. Qualcomm dovrebbe svelare Elite Gen 5 in quell’occasione, con i primi dispositivi attesi dai principali marchi cinesi (la serie Xiaomi 16 è spesso citata). Le roadmap dei produttori indicano una presentazione a fine settembre e disponibilità commerciale in ottobre per la prima ondata.

Processo produttivo

La variante base è attesa su TSMC 3 nm (N3P)—un’evoluzione di N3E che dovrebbe consentire modesti guadagni di efficienza e/o frequenza entro limiti di potenza simili. Le indiscrezioni su un’alternativa Samsung a 2 nm per alcuni OEM sono contrastanti: c’è chi parla di test iniziali o di un bin limitato “speciale”, altri suggeriscono che i piani possano essere stati accantonati. Il consenso attuale: N3P per il mercato di massa, con eventuali derivazioni a 2 nm come soluzioni di nicchia legate alla maturità produttiva.

Architettura CPU

Qualcomm dovrebbe proseguire con core Oryon proprietari e un layout atipico per un top di gamma Android, che in larga misura rinuncia ai classici “piccoli” core. Si cita frequentemente uno schema 2+6:

• due “super-core” con turbo fino a ~4,61 GHz nel bin standard;

• sei core grandi intorno a ~3,63 GHz.

Un bin ad alta frequenza “for Galaxy” (Samsung) spingerebbe i picchi fino a ~4,74 GHz. Si tratterebbe di binning e profili di frequenza specifici per OEM, non di differenze architetturali.

L’obiettivo sembra essere picchi single-thread elevati e sostenuti, oltre a un comportamento multi-thread stabile con minori cali di frequenza—utile per carichi prolungati e pesanti (gaming, codifica video, IA lato CPU).

Grafica

Sul fronte grafico è previsto il passaggio a Adreno 840 con clock di base vicino a ~1,2 GHz. Rispetto alla generazione precedente, le indiscrezioni parlano di un aumento moderato della frequenza “di targa” e di miglioramenti più tangibili nell’efficienza durante lunghe sessioni di gioco—con ricadute in FPS medi più alti a parità di inviluppo termico e maggiore margine per upscaling ed effetti.

NPU e IA sul dispositivo

L’IA on-device resta un focus chiave. Per la NPU dedicata circolano valori fino a ~100 TOPS (classe INT). Pur con metodologie diverse per i valori “di picco”, la direzione è chiara: IA locale per generazione/trasformazione dei media e carichi basati su reti convoluzionali/transformer a bassa latenza, senza andata e ritorno verso il cloud.

Memoria, archiviazione e connettività

Sono attesi LPDDR5X (alte velocità in doppio canale) e UFS 4.0 per lo storage—nessuna rivoluzione finché i controller di prossima generazione non saranno maturi. Il blocco modem dovrebbe essere 5G classe Snapdragon X80 con aggregazione avanzata delle portanti e crescente integrazione di funzioni NTN/satellite. Sul fronte wireless è previsto Wi-Fi 7 con Multi-Link e altre funzionalità ormai standard nel segmento premium.

Prestazioni: primi segnali

Campioni ingegneristici avvistati in test sintetici suggeriscono incrementi notevoli:

• Geekbench 6 (presunto): punteggi single-core oltre 4.000 e multi-core 11.000+;

• AnTuTu v11: punteggio aggregato > 4 milioni.

I test sintetici sono indicatori, non esperienza d’uso. Le affermazioni sui consumi energetici variano tra le fonti—da “potenza simile con prestazioni più alte” a “miglior rapporto prestazioni/watt nel gaming”. I profili finali di frequenza e potenza saranno definiti al lancio.

Inviluppo di potenza e termiche

L’evoluzione N3E → N3P dovrebbe offrire a Qualcomm un po’ di margine sulle frequenze senza aumentare i limiti di potenza. In pratica, ciò potrebbe tradursi in:

• clock più stabili durante lunghe sessioni di gioco;

• minore sensibilità ai telai sottili e minore necessità di throttling aggressivo;

• migliore autonomia sotto carichi prolungati grazie a una superiore efficienza per watt.

Dispositivi attesi e direzione di mercato

Tra i primi adottanti sono attesi Xiaomi, iQOO, OnePlus, Honor e Realme. Diverse segnalazioni sulla prima ondata parlano di batterie molto capienti (alcuni modelli 7.000 mAh+), in linea con l’attenzione a gaming di lunga durata, IA sul dispositivo e display ad alto refresh.

Specifiche chiave attese in sintesi

• Nome: Snapdragon 8 Elite Gen 5 (la denominazione potrebbe variare).

• Processo: TSMC 3 nm (N3P); voci controverse su varianti di nicchia a 2 nm Samsung.

• CPU: Oryon; 2 super-core fino a ~4,61 GHz (+ fino a ~4,74 GHz nel bin “for Galaxy”), 6 core grandi ~3,63 GHz.

• GPU: Adreno 840, clock di base ~1,2 GHz.

• NPU: fino a ~100 TOPS (indicativo).

• Memoria/archiviazione: LPDDR5X, UFS 4.0.

• Connettività: modem 5G di classe X80, Wi-Fi 7.

• Benchmark (preliminari): AnTuTu > 4 M; forti picchi in single-thread e risultati elevati in multi-thread su Geekbench.