Qualcomm Snapdragon 8 Elite 2

Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 5 — 暫定概要

ステータス： このチップはまだ公式発表されていません。以下は、2025年9月上旬時点の一貫したリークや予測に基づく要約であり、正式発表時に変更される可能性があります。

位置付けと名称

現行の Snapdragon 8 Elite の後継は、Snapdragon 8 Elite Gen 5 と呼ばれる見方が強まっています。これにより「Elite」系は、想定される Snapdragon 8 Gen 5 と世代表記が揃い、同一世代内で最上位「Elite」と標準の「8」系を分ける構図が維持されます。別名として「8 Elite 2」も散見されますが、現時点では Elite Gen 5 が有力です。

発表時期と初期搭載機種

発表の場は引き続き Snapdragon Summit が有力視されています。Qualcomm はそこで Elite Gen 5 を公開し、初期搭載機は大手中国ブランド（頻繁に言及されるのは Xiaomi 16 シリーズなど）から登場する見込みです。各社のロードマップは、9月下旬の発表と、10月 の市販開始を示唆しています。

製造プロセス

標準モデルは TSMC 3nm（N3P） を採用すると見られます。N3E の発展版で、同等の電力枠内で効率および/またはクロックの小幅な向上が期待されます。一部 OEM 向けの Samsung 2nm 代替案については賛否が分かれており、初期テストや限定的な“特別ビン”の話がある一方で、計画見直しを示唆する声もあります。現在のコンセンサスは、量産は N3P、2nm の派生はあってもニッチに留まる、というものです。

CPU アーキテクチャ

Qualcomm はカスタム Oryon コアを継続採用し、従来型の“小型コア”比重を抑えた、Android フラッグシップとしては非典型的な構成が見込まれます。よく挙げられるのは 2+6 構成です。

• 「スーパーコア」2基：標準ビンで 最大 ~4.61GHz

• ビッグコア6基：~3.63GHz 前後

Samsung 向けの “for Galaxy” 高周波数ビン では 最大 ~4.74GHz に達するとの見方もあります。これはアーキテクチャ差ではなく、チップの選別（ビニング）や OEM ごとの周波数プロファイルの違いに近いものです。

狙いは、長時間の高負荷でも頻繁なクロック低下を起こさず、強力なシングルスレッド性能のピーク と 安定したマルチスレッド性能 を確保することで、ゲーム、動画エンコード、CPU 側の AI といった重いワークロードに有利と見られます。

グラフィックス

GPU は Adreno 840 へ世代更新し、ベースクロックは ~1.2GHz 程度が取り沙汰されています。前世代比で“仕様上”のクロック上昇は穏やかですが、長時間ゲーム時の効率改善 がより顕著になるとの観測が多く、同等の熱設計枠でも平均 FPS の向上やアップスケーリング/各種効果の適用余裕が増すと期待されます。

NPU とオンデバイス AI

オンデバイス AI は引き続き中核です。専用 NPU の指標として 最大 ~100 TOPS（INT クラス）が言及されています。ピーク値は測定法で変動しますが、クラウド往復なしにメディア生成・変換や畳み込み/トランスフォーマ系ワークロードを低レイテンシで処理するという方向性は明確です。

メモリ・ストレージ・接続性

メモリは LPDDR5X、ストレージは UFS 4.0 が有力です（次世代コントローラが成熟するまでは大きな変化は限定的）。モデムは Snapdragon X80 クラスの 5G（高度なキャリアアグリゲーションや NTN/衛星機能の統合強化）、無線は Wi-Fi 7（マルチリンクなど、ハイエンドの標準機能）になる見通しです。

性能：初期シグナル

エンジニアリングサンプルとされる合成ベンチの結果からは、明確な伸びが示唆されています。

• Geekbench 6（推定）：シングルコア 4,000+、マルチコア 11,000+

• AnTuTu v11：総合 400万点超

合成ベンチは潜在能力の指標であり、体感に直結するものではありません。消費電力に関する評価はリーク間で割れており（同等の電力枠で性能向上 vs. ゲームでの性能/ワット改善）、最終的なクロックや電力プロファイルは発表時に確定します。

消費電力とサーマル

N3E → N3P の進化は、電力上限を据え置いたままクロックを小幅に引き上げる余地を与えるはずです。実際には次のような効果が期待されます。

• 長時間ゲームでの クロック維持性の向上

• 薄型筐体への 熱的感度の低下 と過度なスロットリングの抑制

• 持続負荷での 性能/ワット効率 向上による バッテリー駆動時間の改善

想定搭載機種と市場の方向性

Xiaomi、iQOO、OnePlus、Honor、Realme などが早期採用ブランドと見込まれます。初期モデルの一部では 大容量バッテリー（一部 7,000mAh 以上）の採用が噂され、長時間ゲーム、オンデバイス AI、高リフレッシュレート表示という潮流と合致します。

想定主要仕様の要点

• 名称： Snapdragon 8 Elite Gen 5（名称は変更の可能性あり）

• プロセス： TSMC 3nm（N3P）；Samsung 2nm のニッチ派生に関する噂は賛否あり

• CPU： Oryon；スーパーコア 2基 最大 ~4.61GHz（+ “for Galaxy” ビンで最大 ~4.74GHz）、ビッグコア 6基 ~3.63GHz

• GPU： Adreno 840、ベースクロック ~1.2GHz

• NPU： 最大 ~100 TOPS（目安値）

• メモリ/ストレージ： LPDDR5X、UFS 4.0

• 接続性： X80 クラスの 5G モデム、Wi-Fi 7

• ベンチマーク（初期）： AnTuTu 400万点超；Geekbench で強いシングルスレッドピークと高いマルチスコア