Qualcomm Snapdragon 8 Elite 2

Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 5 — Aperçu préliminaire

Statut : La puce n’a pas encore été annoncée officiellement. Le résumé ci-dessous reflète les attentes au début septembre 2025, fondées sur des fuites cohérentes et des prévisions susceptibles d’évoluer au lancement.

Positionnement et dénomination

Les rapports récents désignent de plus en plus le successeur de l’actuel Snapdragon 8 Elite comme Snapdragon 8 Elite Gen 5. Cette appellation aligne numériquement la ligne « Elite » avec un éventuel Snapdragon 8 Gen 5, tout en conservant la distinction entre le tout haut de gamme et la série « 8 » standard au sein d’une même génération. L’alias « 8 Elite 2 » circule encore, mais Elite Gen 5 paraît plus probable.

Calendrier d’annonce et premiers appareils

Le Snapdragon Summit demeure la scène attendue pour la présentation. Qualcomm y dévoilerait Elite Gen 5, avec des premiers appareils issus de grandes marques chinoises (la série Xiaomi 16 est souvent citée). Les feuilles de route des fabricants pointent vers une présentation fin septembre et une disponibilité en octobre pour la première vague.

Procédé de fabrication

La variante de base est attendue en TSMC 3 nm (N3P)—une évolution du N3E qui devrait offrir des gains modérés d’efficacité et/ou de fréquences à limites de puissance similaires. Les rumeurs d’une alternative Samsung 2 nm pour certains OEM sont partagées : certains évoquent des tests précoces ou un bin « spécial » limité, d’autres suggèrent un abandon. Le consensus actuel : N3P pour le volume, d’éventuelles variantes 2 nm restant de niche et dépendantes de la maturité de production.

Architecture CPU

Qualcomm devrait poursuivre avec des cœurs Oryon maison et une disposition atypique pour un flagship Android, délaissant en grande partie les « petits » cœurs classiques. Un schéma 2+6 est fréquemment mentionné :

• deux « super-cœurs » jusqu’à ~4,61 GHz en bin standard ;

• six gros cœurs autour de ~3,63 GHz.

Un bin haute fréquence « for Galaxy » (Samsung) pousserait les pics jusqu’à ~4,74 GHz. Il s’agirait de tri des puces (binning) et de profils de fréquences propres à l’OEM, sans différence architecturale.

L’objectif semble être des pointes monothread élevées et durables, ainsi qu’un comportement multithread stable avec moins de chutes de fréquence—utile pour des charges lourdes et prolongées (jeu, encodage vidéo, IA côté CPU).

Graphiques

Côté GPU, on s’attend à Adreno 840 avec une fréquence de base proche de ~1,2 GHz. Par rapport à la génération précédente, les fuites évoquent une hausse modérée de la fréquence « sur le papier » et des gains d’efficacité plus sensibles lors de longues sessions de jeu—ce qui se traduirait par des fréquences d’images moyennes plus élevées à enveloppe thermique comparable et davantage de marge pour les solutions d’upscaling/effets.

NPU et IA sur l’appareil

L’IA on-device reste un axe majeur. Des valeurs jusqu’à ~100 TOPS (classe INT) circulent pour la NPU dédiée. Même si les mesures « pico » varient selon les méthodologies, l’orientation est claire : IA locale pour la génération/transformation de médias et les charges à base de réseaux convolutionnels/transformers, avec faible latence et sans aller-retour vers le cloud.

Mémoire, stockage et connectivité

On s’attend à LPDDR5X (débits élevés en double canal) et UFS 4.0 côté stockage—pas de rupture avant la maturité de la prochaine génération de contrôleurs. Le bloc modem devrait être de classe Snapdragon X80 5G, avec agrégation avancée de porteuses et intégration croissante des fonctions NTN/satellite. En sans-fil, Wi-Fi 7 avec Multi-Link et autres capacités désormais standard dans le très haut de gamme.

Performances : premiers signaux

Des échantillons d’ingénierie aperçus dans des tests synthétiques laissent entrevoir des gains notables :

• Geekbench 6 (présumé) : scores monothread au-dessus de 4 000 et multithread 11 000+ ;

• AnTuTu v11 : score agrégé > 4 millions.

Les synthétiques restent des indicateurs, pas l’expérience réelle. Les propos sur la consommation divergent entre fuites—de « puissance similaire pour des performances supérieures » à « meilleur rendement par watt en jeu ». Les profils finaux de fréquences/puissance seront figés au lancement.

Enveloppe de puissance et thermique

L’évolution N3E → N3P devrait offrir à Qualcomm un peu de marge en fréquence sans relever les limites de puissance. En pratique, cela pourrait se traduire par :

• des fréquences plus stables lors de longues sessions de jeu ;

• une moindre sensibilité aux châssis fins et moins de besoin de bridage thermique agressif ;

• une meilleure autonomie en charge soutenue grâce à un meilleur rendement par watt.

Appareils attendus et orientation du marché

Parmi les premiers adoptants pressentis : Xiaomi, iQOO, OnePlus, Honor et Realme. Plusieurs modèles de la première vague sont évoqués avec des batteries très grandes (certains 7 000 mAh et plus), en phase avec l’accent mis sur le jeu de longue durée, l’IA sur l’appareil et les écrans à haut taux de rafraîchissement.

Spécifications clés attendues en un coup d’œil