HiSilicon Kirin 9000E

SoC HiSilicon Kirin 9000E - мощный и эффективный чипсет, разработанный для флагманских смартфонов. Построенный на современном процессе 5 нм, этот SoC поражает своим восьмиядерным конфигурацией с частотой 3130 МГц и TDP 6 Вт. Включение графического процессора Mali-G78 MP22 гарантирует, что Kirin 9000E легко справится с самыми требовательными графическими задачами. По показателям производительности, баллы Geekbench 6 для Kirin 9000E впечатляющие - одноядерный балл 1176 и многоядерный балл 3255. Это указывает на то, что этот SoC более чем способен справляться с интенсивным мультитаскингом и требовательными приложениями без лишних усилий. Эффективность процесса 5 нм означает, что Kirin 9000E также энергоэффективен, обеспечивая более длительное время работы батареи без ущерба для производительности. Это критически важный аспект для флагманских смартфонов, поскольку пользователи часто требуют и мощности, и долговечности от своих устройств. В целом SoC HiSilicon Kirin 9000E является флагманским чипсетом, который сочетает в себе и производительность, и эффективность, что делает его идеальным выбором для флагманских смартфонов в современном конкурентном рынке.