Qualcomm Snapdragon 8 Elite 2

Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 5 — 예비 개요

상태: 칩은 아직 공식 발표되지 않았다. 아래 요약은 2025년 9월 초 기준의 일관된 유출과 전망을 바탕으로 했으며, 출시 시점에 변경될 수 있다.

포지셔닝과 명칭

최근 보고서에서는 현행 Snapdragon 8 Elite의 후속작을 Snapdragon 8 Elite Gen 5로 지칭하는 경우가 늘고 있다. 이는 “Elite” 라인의 세대 표기를 Snapdragon 8 Gen 5와 맞추면서, 같은 세대 내에서 최상위와 표준 “8” 라인을 구분하려는 흐름이다. “8 Elite 2”라는 별칭도 간헐적으로 보이지만, 현시점에서는 Elite Gen 5가 더 유력해 보인다.

발표 일정과 초기 탑재 기기

Snapdragon Summit이 유력한 공개 무대로 거론된다. Qualcomm이 이 자리에서 Elite Gen 5를 공개하고, 초기 탑재 기기는 주요 중국 브랜드(자주 언급되는 Xiaomi 16 시리즈 등)에서 먼저 등장할 가능성이 크다. 제조사 로드맵은 9월 말 발표, 10월 1차 출시를 시사한다.

제조 공정

기본형은 **TSMC 3nm(N3P)**가 예상된다. N3E의 진화형으로, 유사한 전력 한계에서 효율과/또는 클록을 소폭 끌어올릴 수 있다는 평가다. 특정 OEM을 위한 삼성 2nm 대안에 대해서는 엇갈린 소문이 공존한다(초기 테스트·한정 ‘스페셜’ 바이닝 vs. 계획 철회설). 현재 컨센서스는 대량형 N3P이며, 2nm 파생형이 있더라도 니치에 그칠 가능성이 크다.

CPU 아키텍처

맞춤형 Oryon 코어 기조가 이어지고, 전통적 ‘리틀 코어’ 비중을 크게 줄인 안드로이드 플래그십치고는 이례적인 배치가 예상된다. 자주 거론되는 구성은 2+6이다.

• ‘슈퍼 코어’ 2개: 표준 바이닝에서 최대 ~4.61GHz

• 빅 코어 6개: ~3.63GHz 내외

삼성 전용 ‘for Galaxy’ 고클록 바이닝은 최대 ~4.74GHz까지 올린다는 관측이다. 이는 아키텍처 차이라기보다 칩 선별(binning)과 OEM별 주파수 프로파일 차이에 가깝다.

목표는 장시간 고부하에서도 잦은 클록 하락 없이 강한 단일 스레드 피크와 안정적인 멀티 스레드 성능을 확보하는 데 있는 것으로 보인다(게임, 영상 인코딩, CPU 측 AI 등).

그래픽

GPU는 Adreno 840로의 세대 전환이 예상되며, 기본 클록은 ~1.2GHz 수준이 거론된다. 전세대 대비 ‘스펙상’ 클록 상승은 완만하나, 장시간 게임에서의 효율 개선이 더 두드러질 것이란 관측이 많다. 동일한 열 설계 범위에서 평균 FPS가 높아지고, 업스케일러/효과 적용 여유가 커질 수 있다.

NPU와 온디바이스 AI

온디바이스 AI가 핵심 축으로 유지된다. 전용 NPU의 지표로 최대 ~100 TOPS(INT급)가 거론된다. 피크 지표는 계측법에 따라 달라질 수 있지만, 로컬 생성·변환과 컨볼루션/트랜스포머 기반 워크로드를 저지연으로 처리하려는 방향성은 분명하다.

메모리·저장장치·연결성

메모리는 LPDDR5X, 저장장치는 UFS 4.0이 유력하다(차세대 컨트롤러 성숙 전까지 큰 변화는 제한적일 전망). 모뎀은 Snapdragon X80급 5G(고급 캐리어 집성 및 NTN/위성 기능 통합 확대), 무선은 Wi-Fi 7(멀티링크 등 플래그십 표준 기능)이 예상된다.

성능: 초기 신호

엔지니어링 샘플로 보이는 합성 테스트 결과는 다음과 같다.

• Geekbench 6(추정): 단일 코어 4,000+, 멀티 코어 11,000+

• AnTuTu v11: 총점 400만+

합성 평가는 잠재력을 가늠하는 지표일 뿐 체감 경험과 동일하지 않다. 소비전력 평가는 유출마다 상이하며(동일 전력에서 성능↑ vs. 게임에서 성능/와트 개선), 최종 클록·전력 프로파일은 출시 시점에 확정된다.

전력 한계와 발열

N3E → N3P 이행은 전력 한계를 늘리지 않고도 소폭의 클록 상승 여지를 준다. 실제로는 다음과 같은 효과가 기대된다.

• 장시간 게임에서 클록 유지력 향상

• 슬림 섀시에 대한 발열 민감도 감소, 과도한 열 스로틀링 완화

• 지속 부하에서 성능/와트 효율 향상으로 배터리 지속시간 개선

예상 탑재 기기와 시장 방향

초기 채택 브랜드로 Xiaomi, iQOO, OnePlus, Honor, Realme 등이 거론된다. 1차 물량 일부는 대용량 배터리(일부 모델 7,000mAh+) 채택이 예상되며, 이는 장시간 게임, 온디바이스 AI, 고주사율 디스플레이 트렌드와 맞닿아 있다.

주요 예상 사양 한눈에 보기

• 명칭: Snapdragon 8 Elite Gen 5(명칭은 변동 가능)

• 공정: TSMC 3nm(N3P); 삼성 2nm 니치 변형 관련 설은 논쟁 중

• CPU: Oryon; 슈퍼 코어 2개 최대 ~4.61GHz(+ ‘for Galaxy’ 바이닝 최대 ~4.74GHz), 빅 코어 6개 ~3.63GHz

• GPU: Adreno 840, 기본 클록 ~1.2GHz

• NPU: 최대 ~100 TOPS(지표적 수치)

• 메모리/저장장치: LPDDR5X, UFS 4.0

• 연결성: X80급 5G 모뎀, Wi-Fi 7

• 벤치마크(초기): AnTuTu > 400만; Geekbench에서 강한 단일 스레드 피크와 높은 멀티 스레드 결과