Главная / HiSilicon / HiSilicon Kirin 658: Производительность и характеристики

HiSilicon Kirin 658

HiSilicon Kirin 658

О процессоре

Kirin 658 это SmartPhone Mid range мобильный процессор, производимый HiSilicon. Дата выпуска - March 2017. SoC производится с использованием производственного процесса 16 nm. Он имеет 8 ядер. Основными характеристиками SoC являются: Частота - 2350 MHz, TDP - 5 W. Этот чип также имеет интегрированную графику Mali-T830 MP2.

Общая информация

Производитель
HiSilicon
Платформа
SmartPhone Mid range
Дата выпуска
March 2017
Название модели
Kirin 658
Архитектура
4x 2.35 GHz – Cortex-A53
4x 1.7 GHz – Cortex-A53
Количество ядер
8
Процесс
16 nm
Частота
2350 MHz
Количество транзисторов
4

GPU Спецификации

Название GPU
Mali-T830 MP2
Частота GPU
900 MHz
FLOPS
0.0576 TFLOPS
Блоки шейдинга
16
Исполнительные блоки
2
Версия OpenCL
1.2
Версия Vulkan
1.0
Макс. разрешение дисплея
1920 x 1200
Версия DirectX
11

Возможности подключения

Поддержка 4G
LTE Cat. 7
Поддержка 5G
No
Bluetooth
4.1
Wi-Fi
5
Навигация
GPS, GLONASS, Beidou

Характеристики памяти

Тип памяти
LPDDR3
Частота памяти
933 MHz
Шина памяти
2x 32 Bit

Другое

Нейронный процессор (NPU)
No
Аудиокодеки
AIFF, CAF, MP3, MP4, WAV
Макс. разрешение камеры
1x 16MP, 2x 8MP
Тип хранилища
eMMC 5.1
Захват видео
1K at 60FPS
Видеокодеки
H.264, H.265
Проигрывание видео
1080p at 60FPS
TDP
5 W
Набор инструкций
ARMv8-A

Бенчмарки

Geekbench 6
Одноядерный
206
Geekbench 6
Многоядерный
729
FP32 (float)
56

По сравнению с другими SoC

Geekbench 6 Одноядерный
Dimensity 1300
1252 +507.8%
Dimensity 1080
969 +370.4%
Snapdragon 730G
701 +240.3%
Snapdragon 660
345 +67.5%
Kirin 658
206
Geekbench 6 Многоядерный
Kirin 9000
3529 +384.1%
Dimensity 820
2494 +242.1%
Exynos 9810
1847 +153.4%
Helio X30
1115 +52.9%
Kirin 658
729
FP32 (float)
Snapdragon 820
313 +458.9%
Snapdragon 660
221 +294.6%
Snapdragon 450
113 +101.8%
SC9863A
69 +23.2%
Kirin 658
56