Qualcomm Snapdragon 8 Elite 2

Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 5 — Panorama preliminar

Estado: El chip aún no ha sido anunciado oficialmente. El resumen siguiente refleja expectativas a inicios de septiembre de 2025 basadas en filtraciones consistentes y previsiones que podrían cambiar en el lanzamiento.

Posicionamiento y denominación

Informes recientes se refieren cada vez más al sucesor del actual Snapdragon 8 Elite como Snapdragon 8 Elite Gen 5. Esto alinea la línea “Elite” numéricamente con un posible Snapdragon 8 Gen 5, manteniendo la separación entre el tope absoluto y el “8” estándar dentro de la misma generación. El alias «8 Elite 2» sigue apareciendo en algunas menciones, pero Elite Gen 5 parece más probable.

Calendario de anuncio y primeros dispositivos

Se espera que el Snapdragon Summit siga siendo el escenario del lanzamiento. Qualcomm presentaría allí Elite Gen 5, con primeros dispositivos de marcas líderes chinas (con la serie Xiaomi 16 mencionada con frecuencia). Las hojas de ruta de los fabricantes apuntan a una presentación a finales de septiembre y disponibilidad comercial en octubre para la primera oleada.

Proceso de fabricación

La variante base se espera en TSMC 3 nm (N3P), una evolución de N3E que permitiría ganancias modestas de eficiencia y/o frecuencia con límites de potencia similares. Los rumores sobre una alternativa a 2 nm de Samsung para ciertos OEM son mixtos: algunos mencionan pruebas tempranas o un bin limitado “especial”, otros sugieren que esos planes podrían haberse descartado. El consenso por ahora: N3P para el mercado masivo, con cualquier derivado a 2 nm siendo nicho y dependiente de la madurez de fabricación.

Arquitectura de CPU

Qualcomm continuaría con núcleos Oryon personalizados y una disposición atípica para un buque insignia Android que, en gran medida, prescinde de los “núcleos pequeños” clásicos. Se cita con frecuencia un esquema 2+6:

• dos “súper núcleos” con turbo de hasta ~4,61 GHz en la variante estándar;

• seis núcleos grandes alrededor de ~3,63 GHz.

Una variante de alta frecuencia “for Galaxy” (Samsung) supuestamente eleva los picos hasta ~4,74 GHz. Esto reflejaría selección de chips (binning) y perfiles de frecuencia por OEM más que diferencias arquitectónicas.

El objetivo parece ser picos sólidos y sostenidos en monohilo y un rendimiento multinúcleo estable con menos caídas de frecuencia, útil para cargas prolongadas y pesadas (juegos, codificación de vídeo, IA en CPU).

Gráficos

Se espera el salto a Adreno 840 con una frecuencia base cercana a ~1,2 GHz. Frente a la generación previa, las filtraciones señalan un aumento moderado de la frecuencia “de ficha” y mejoras más tangibles en eficiencia durante sesiones de juego prolongadas, traduciéndose en mayores FPS medios dentro de envolventes térmicas similares y mayor margen para upscalers y efectos.

NPU e IA en el dispositivo

La IA en el dispositivo sigue siendo un foco clave. Circulan cifras de hasta ~100 TOPS (clase INT) para la NPU dedicada. Aunque las métricas “pico” varían según metodología, la dirección es clara: IA local para generación/transformación de medios y cargas con convoluciones/transformers con baja latencia, sin depender de la nube.

Memoria, almacenamiento y conectividad

Se prevén LPDDR5X (altas tasas en doble canal) y UFS 4.0 en almacenamiento—sin revoluciones hasta que maduren los controladores de la próxima ola. El bloque módem sería 5G de clase Snapdragon X80 con agregación avanzada de portadoras y creciente integración de funciones NTN/satélite. En redes inalámbricas se espera Wi-Fi 7 con Multi-Link y otras capacidades ya habituales en la gama alta.

Rendimiento: primeras señales

Muestras de ingeniería vistas en pruebas sintéticas sugieren avances notables:

• Geekbench 6 (presunto): puntuaciones mononúcleo por encima de 4.000 y multinúcleo 11.000+;

• AnTuTu v11: puntuaciones agregadas > 4 millones.

Las sintéticas son indicadores, no experiencia real. Las afirmaciones sobre consumo energético varían entre filtraciones—desde “potencia similar con mayor rendimiento” hasta “mejor rendimiento por vatio en juegos”. Los perfiles finales de frecuencia y potencia se concretarán en el lanzamiento.

Envolvente de potencia y térmicas

La evolución N3E → N3P debería dar a Qualcomm margen para incrementos modestos de frecuencia sin elevar los límites de potencia. En la práctica, esto podría traducirse en:

• relojes más estables durante sesiones largas de juego;

• menor sensibilidad a chasis delgados y menos necesidad de throttling agresivo;

• mejor autonomía en cargas sostenidas gracias a un mayor rendimiento por vatio.

Dispositivos esperados y orientación del mercado

Se espera que adopten temprano Xiaomi, iQOO, OnePlus, Honor y Realme. Varias referencias de la primera oleada apuntan a baterías muy grandes (algunos modelos 7.000 mAh+), en línea con el impulso hacia juego prolongado, IA en el dispositivo y pantallas de alta frecuencia de refresco.

Especificaciones clave esperadas de un vistazo

• Nombre: Snapdragon 8 Elite Gen 5 (la denominación podría variar).

• Proceso: TSMC 3 nm (N3P); rumores disputados sobre variantes nicho a 2 nm de Samsung.

• CPU: Oryon; 2 súper núcleos hasta ~4,61 GHz (+ hasta ~4,74 GHz en la variante “for Galaxy”), 6 grandes ~3,63 GHz.

• GPU: Adreno 840, frecuencia base ~1,2 GHz.

• NPU: hasta ~100 TOPS (indicativo).

• Memoria/almacenamiento: LPDDR5X, UFS 4.0.

• Conectividad: módem 5G en torno a la clase X80, Wi-Fi 7.

• Benchmarks (tempranos): AnTuTu > 4 M; picos fuertes en mononúcleo y resultados altos en multinúcleo en Geekbench.